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石墨舟加工

发布者:保定胜策商贸有限公司    发布时间:2019-02-28
石墨舟加工

石墨舟加工

晶体硅太阳电池片的生产加工中有一道程序叫做PECVD镀膜,其作用是在硅片上沉积一层介质薄膜,一般是氮化硅薄膜,提高硅片的太阳能转化率。这个工序用石墨舟装载硅片。把硅片放到石墨舟中,经过一定的条件产生化学反应,在硅片表面沉积上一层薄膜。

石墨舟作为太阳能电池片沉积介质薄膜时的一种载体,其结构和大小直接影响硅片的转换效率和生产效率,现有石墨舟包括:石墨舟片、陶瓷套、陶瓷杆、石墨杆、石墨隔块等石墨配件。其工作原理为:将未镀膜的硅片放在石墨舟片的卡点上,每个舟片上可放固定数量的硅片,然后,将石墨舟放置在PECVD真空镀膜设备的腔体内,采用PECVD工艺进行放电镀膜。镀膜结束后,取出石墨舟,将硅片从石墨舟上卸取下来。

石墨舟片是组成石墨舟的重要组成部分,是用于固定镀膜硅片的装置。实际工艺中硅片插在石墨舟片上,完成镀膜工艺。

在一个新石墨舟,或者经过清洗的石墨舟,在做生产工艺之前要放到PECVD工艺腔体中做饱和工艺。饱和工艺是指模拟真实生产工艺环境,使石墨舟表面沉积一层介质薄膜。经过饱和的石墨舟在进行生产工艺时,可以减少PECVD镀膜引起的硅片内及硅片间介质层厚度和折射率不均匀产生的沉积薄膜不均匀从而产生基片内颜色差异等问题。

除了空石墨舟饱和以外,还有一种饱和方法是将石墨舟插满假片,假片可能是石墨或硅片或其他材料。目的是在饱和的时候,未来硅片覆盖的区域不沉积介质层。这样可以进一步提高镀膜均匀性,从而提高产品的良品率,并延长石墨舟使用寿命。

然而,由于通常所镀的薄膜的材料为氮化硅,经饱和工艺处理后的石墨舟在使用一定的次数后,硅片镀膜后颜色差异会逐渐增加,不得不清洗石墨舟,洗去石墨舟上沉积的氮化硅薄膜,然而清洗石墨舟通常采用强酸性药液,不但去除了氮化硅薄膜,还对石墨舟造成腐蚀,从而导致石墨舟的寿命缩短,还增加了工艺步骤和成本。



技术实现要素:

为了克服以上问题,本实用新型旨在提供一种石墨舟片,使得石墨舟不经饱和工艺依然能够提高镀膜均匀性。

为了达到上述目的,本实用新型提供了一种石墨舟片,其包括:石墨舟片本体,位于石墨舟片本体表面的硅片放置区域,位于硅片放置区域内的镂空区域,镂空区域贯穿石墨舟片,位于硅片放置区域周围的用于卡住硅片的卡点,以及在石墨舟片的表面具有不溶于强酸溶液的介质薄膜,其中,该介质薄膜不位于硅片放置区域和所述卡点上。

优选地,所述石墨舟片本体的两个表面均具有位置相对应的硅片放置区域,所述镂空区域位于所述石墨舟片本体的两个表面上位置相对应的硅片放置区域中。

优选地,所述硅片放置区域的边与石墨舟片本体的边不平行。

优选地,所述硅片放置区域的边与石墨舟片本体的边之间的夹角为5~30°。

优选地,所述硅片放置区域为多个,在石墨舟片的同一表面内硅片放置区域之间相应的边相互平行。

优选地,所述介质薄膜的厚度为10~800nm。

优选地,所述介质薄膜为绝缘介质薄膜。

优选地,所述卡点以镂空区域的几何中心为中心呈中心对称分布。

优选地,位于所述硅片放置区域的底边外侧及其下部外侧的卡点的数量大于位于所述硅片放置区域上部外侧的卡点的数量。

优选地,所述卡点的数量为奇数。

本实用新型的石墨舟片,通过在石墨舟片表面设置硅片放置区域,在硅片放置区域内设置镂空区域,在硅片放置区域的周边设置卡点,在硅片放置区域和石墨卡点之外的石墨舟片表面设置不溶于强酸性药液的介质薄膜,从而石墨舟片不经饱和工艺就能提高硅片镀膜的均匀性,还简化了步骤,降低了成本。

附图说明

图1为本实用新型的一个较佳实施例的石墨舟片的结构示意图

具体实施方式

为使本实用新型的内容更加清楚易懂,以下结合说明书附图,对本实用新型的内容作进一步说明。当然本实用新型并不局限于该具体实施例,本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本实用新型的保护范围内。

以下结合附图1和具体实施例对本实用新型作进一步详细说明。需说明的是,附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例,且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。

请参阅图1,本实施例的石墨舟片包括:石墨舟片本体00,位于石墨舟片本体00表面的硅片放置区域2,位于硅片放置区域2内的镂空区域1,镂空区域1贯穿石墨舟片00,该镂空区域主要作用是减少石墨材料的使用量,降低石墨舟片重量。位于硅片放置区域2周围的用于卡住硅片的卡点3,以及在石墨舟片00的表面具有不溶于强酸溶液的介质薄膜,其中,该介质薄膜不位于硅片放置区域2和卡点3上,较佳的,介质薄膜的厚度为10~800nm,介质薄膜为绝缘介质薄膜。

这里,石墨舟片本体00的两个表面均具有位置相对应的硅片放置区域2,镂空区域1位于石墨舟片本体00的两个表面上位置相对应的硅片放置区域2中,本实施例中,硅片放置区域2的边与石墨舟片本体00的边不平行,其中硅片放置区域2的边与石墨舟片本体00的边之间的夹角可以为5~30°,较佳的硅片放置区域2的边与石墨舟片本体00的边之间的夹角为15°。硅片放置区域2为多个,在石墨舟片本体00的同一表面内硅片放置区域2之间相应的边相互平行。本实施例中,硅片放置区域2的形状大小均相同,可以呈等间距排布。

这里,卡点3可以以镂空区域的几何中心为中心呈中心对称分布,位于硅片放置区域2的底边外侧及其下部外侧的卡点3的数量可以大于位于硅片放置区域2上部外侧的卡点3的数量,卡点3的数量可以为奇数,这样,可以使放置于硅片放置区域2的硅片底部和侧面受到的合力等于重力,不会因为重力作用而翻到,例如,这里卡点3为三个,则位于硅片放置区域2左上部外侧的卡点为1个,位于硅片放置区域2右下部外侧的卡点为1个,位于硅片放置区域2底边外侧的卡点为1个。

虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上,然所述实施例仅为了便于说明而举例而已,并非用以限定本实用新型,本领域的技术人员在不脱离本实用新型精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰,本实用新型所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。


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